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陳建華
學校：
國立中興大學
科系：
分生所
技術名稱：
調控大分子進入細胞內之蛋白質及其調控大分子進入細胞內之方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I472617
技術摘要：
本發明係揭露調控大分子進入細胞內之蛋白質及其調控大分子進入細 胞內之方法，其係利用IpaB 基因或是IpaB803 基因轉染細胞，並使IpaB 基因或是IpaB803 基因於細胞內表現IpaB 蛋白或...
陳建華
學校：
國立中興大學
科系：
分生所
技術名稱：
大腸桿菌素Ib及其製造方法、用途
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I486358
技術摘要：
本發明所揭之大腸桿菌素Ib，其胺基酸序列編碼為SEQ ID No.1，係為 一由來自於台灣本土志賀氏桿菌中去氧核糖核酸序列編碼為SEQ ID No.2 所表現之蛋白質，而該大腸桿菌素Ib 係得藉由基因...
楊秋英
學校：
國立中興大學
科系：
分生所
技術名稱：
糖化血色素比率測量裝置
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（新型）
專利證號：
M383733
技術摘要：
一種糖化血色素比率測量裝置，用於定量糖化血色素在總血色素比率。本創作新配套設計在整合免疫檢測技術可達到以更簡易且減少量測誤差下定量糖化血色素比率的目的。
陳建華
學校：
國立中興大學
科系：
分生所
技術名稱：
LAMP產物之標定方法及其應用
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I516765
技術摘要：
本發明係關於一種用於標定環型核酸恆溫增幅(Loop-mediated isothermal amplification，LAMP)產物之方法，該方法係藉由檢體標定(body-labelling)的方式...
鄭紀民
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
鈣鈦複合氧化物可見光觸媒的製備方法、其製備之鈣鈦複合氧化物可見光觸媒及二氧化碳光催化還原反應製備醇類之方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I718568
技術摘要：
本發明提供一種鈣鈦複合氧化物可見光觸媒的製備方法，其包含提供一鈣源、進行一模板劑製備步驟、提供一鈦源、進行一混合步驟、進行一老化步驟以及進行一鍛燒步驟。鈣源係將一含鈣廢棄物經鍛燒後所形成。模板劑製備步...
竇維平
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
以單一電鍍槽同時製備生銅箔與單晶銅瘤之電鍍銅配方
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 11,008,665 B2
技術摘要：
一種以單一電鍍槽製備銅箔生箔同時形成粗化毛面的方法，包括：在一電鍍槽中，將電解液輸送至該電鍍槽的陰極和陽極之間，電流密度為5-40ASF，在陰極表面析出一層銅箔生箔，該銅箔生箔相異該陰極的表面為緻密佈...
竇維平
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
在印刷電路板上製造銅柱的方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I658764
技術摘要：
本發明是關於一種在印刷電路板上製造銅柱的方法。先在電路板上貼覆抗鍍乾膜，製作銅柱圖形，再以還原氧化石墨烯(rGO)使抗鍍乾膜的表面導電化。由於一般抗鍍乾膜具鹼可溶的特性，傳統的化銅程序不再適用。本發明...
竇維平
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
鈦陰極表面改質方法用於電鍍低粗糙度銅箔
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I679316
技術摘要：
一種鈦陰極表面改質方法用於電鍍低粗糙度銅箔，包括：步驟一，提供鈦陰極，該鈦陰極的表面可以是未經改質的、經化學改質的、或經物理改質的；步驟二，鈦陰極的表面經一電鍍步驟析出一導電層；步驟三，將該導電層經一...
竇維平
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
以單一電鍍槽製備銅箔生箔同時形成粗化毛面的方法及該銅箔生箔
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I679314
技術摘要：
一種以單一電鍍槽製備銅箔生箔同時形成粗化毛面的方法，包括：在一電鍍槽中，將電解液輸送至該電鍍槽的陰極和陽極之間，電流密度為5-40ASF，在陰極表面析出一層銅箔生箔，該銅箔生箔相異該陰極的表面為緻密佈...
竇維平
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
在非導體軟性透明基材上製作微米金屬網格之方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 10465056 B2
技術摘要：
本發明提出一種以非導體軟性透明基材上製作銅網格使該基材成為導電基材的方法，該方法排除鈀觸媒的使用；並且，本發明以上述方法所製備的軟性導電基材上具有奈米級或微米級銅線所構成的網格，在可見光透光波長390...
竇維平
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
使基板表面及高深寬比孔洞之孔壁具有還原氧化石墨烯層之方法及該方法所使用的調節液
成果來源：
產學合作計畫成果
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 10,543,510 B2
技術摘要：
本發明將還原氧化石墨烯修飾於非導體基材表面及微米孔洞之孔壁，使得改質後的非導體表面具有還原氧化石墨烯優異之導電性，進而完成後續電鍍製程，且電鍍金屬後的微米孔洞可通過熱信賴度測試。本發明具有許多優勢，包...
楊宏達
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
仿生吸盤陣列及其製備方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I656956
技術摘要：
本發明提供一種仿生吸盤陣列的製備方法，包含提供板材、提供懸浮液、進行旋轉塗佈步驟、進行聚合反應、進行蝕刻步驟、提供第二模板、形成前驅物層以及進行交聯反應。經由前述步驟可製得大面積且非緊密堆積的吸盤，且...
楊宏達
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
高分子薄膜、其製造方法及其應用之抗反射元件與感測元件
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I596144
技術摘要：
本發明提供一種高分子薄膜的製造方法，包含提供基材、提供懸浮液、形成膠體懸浮物、進行自組裝步驟、形成一高分子單體層、進行聚合反應以及進行蝕刻步驟。經由前述步驟可形成高分子材料層於基材的表面上，其中高分子...
楊宏達
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
迴歸反射結構及其製造方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I606274
技術摘要：
本發明提供一種迴歸反射結構，其包含一基材、複數個微球體以及至少一光子晶體層。其中前述微球體係設置於基材上，而光子晶體層係覆蓋於前述微球體及基材上。藉此，本發明之迴歸反射結構具有觀測角度廣與可控制其反射...
楊宏達
學校：
國立中興大學
科系：
化工系
技術名稱：
具多孔結構之二氧化碳感測器及其製造方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I504881
技術摘要：
本發明為一種具多孔結構之二氧化碳感測器，其包含：一基材、一多孔性薄膜以及複數個吸附單元。其中，多孔性薄膜設於基材上，且具有複數個孔洞。複數個吸附單元分別鍵結於複數個孔洞上，各吸附單元係用以吸附一二氧化...
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