學者列表
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:國科會
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I592489
技術摘要:
本案提供一種低碳排放之微生物平台,其利用了染色體工程改善微生物代謝之途徑。最重要的是,本發明透過剃除微生物之zwf基因,並搭配RubisCO及PrkA外源基因之大量表現,可有效降低二氧化碳之排放,並維...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:國科會
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I542906
技術摘要:
本發明為一種抗紫外光暨抗紅外光之多孔結構及其製造方法,其中抗紫外光暨抗紅外光之多孔結構包含:一基材、一第一多孔性薄膜以及一第二多孔性薄膜。其中,第一多孔性薄膜設於基材上,且具有複數個第一孔洞。第二多孔...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:日本(發明)
專利證號:5481540
技術摘要:
一系列新穎磷系雙酚及其衍生物之製造方法,包含利用如通式(i)所示之有機環狀磷化合物、通式(ii)所示之酮類化合物、通式(iii)所示之化合物及一酸觸媒,合成具有如化學式(I)所示結構之磷系化合物,並利...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I546379
技術摘要:
本發明係關於一種用於對受質發酵形成發酵產物之微生物,其包含含有經突變之酵素序列之質體,該經突變之酵素係選自核酮糖二磷酸羧化酶/加氧酶與其相關酵素。其中,本發明主要的目的為固定二氧化碳,進而減少二氧化碳...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I652342
技術摘要:
本發明係關於一種用於對受質發酵形成發酵產物之微生物,其包含含有經突變之酵素序列之質體,該經突變之酵素係選自核酮糖二磷酸羧化酶/加氧酶與其相關酵素。其中,本發明主要的目的為固定二氧化碳,進而減少二氧化碳...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I499655
技術摘要:
一種矽烷基團層自組裝膜之改質劑,該改質劑是由金屬化合物 MX 以及酸性溶液按預定 濃度比例混合而成。所述金屬化合物 MX,M 可為一價或多價金屬陽離子之擇一,X 為 Cl-、 NO3 -、Br-、Cl...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:國科會
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I513703
技術摘要:
本發明係關於一系列新穎磷系化合物及一系列新穎磷系可交聯聚醯亞胺及其製造方法。
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:美國(發明)
專利證號:US 8,242,266 B2
技術摘要:
一系列新穎磷系雙酚及其衍生物之製造方法,包含利用如通式(i)所示之有機環狀磷化合物、通式(ii)所示之酮類化合物、通式(iii)所示之化合物及一酸觸媒,合成具有如化學式(I)所示結構之磷系化合物,並利...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:美國(發明)
專利證號:US 8,791,229 B2
技術摘要:
本發明係提供一種如通式(I)之磷系化合物, (I) 其中 R1~R4係各自獨立選自氫原子、C1~C6烷基、C1~C6氧烷基、C1~C6鹵烷基、C3~C7環烷基、-CF3、-OCF3和鹵原子所組成之群;...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I500370
技術摘要:
一種於塑料基材表面形成導電金屬圖案及佈線的方法及該方法中所使用的噴印墨水,主要以噴墨方式於基材表面欲製成導電圖案和佈線之處附著可螯合金屬離子之墨水,搭配離子交換和還原技術使鎳、銅金屬觸媒附著於墨水所界...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I633957
技術摘要:
一種高穩定性奈米金屬粒子,包括:一奈米金屬粒子;以及包覆於該奈米金屬粒子外部的抗氧化保護膜;該抗氧化保護膜是由含苯環的有機化合物或含氮的雜環化合物所構成。該抗氧化保護膜延長了奈米金屬粒子的抗氧化時間,...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I481041
技術摘要:
一種製造高光電轉換率之光電極的方法,包括:步驟一,將碳化矽奈米粒子分散於液態媒體中;步驟二,將二氧化鈦奈米顆粒分散於步驟一所獲得的分散液;步驟三,將聚乙二醇混合於步驟二所得的分散液中,獲得碳化矽/二氧...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I481041
技術摘要:
一種製造高光電轉換率之光電極的方法,包括:步驟一,將碳化矽奈米粒子分散於液態媒體中;步驟二,將二氧化鈦奈米顆粒分散於步驟一所獲得的分散液;步驟三,將聚乙二醇混合於步驟二所得的分散液中,獲得碳化矽/二氧...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:中興大學
申請專利國家:中華民國(發明)
專利證號:I506727
技術摘要:
一種半導體元件高深寬比(HAR)孔洞或槽渠之填孔電鍍液及填孔製程,包括:提供一具有高深寬比特徵之槽渠或孔洞的半導體基材;將該半導體基材於一電化學系統中進行填孔電鍍;該電化學系統之電鍍液包含鎳離子和鎢酸...
學校:國立中興大學
科系:化工系
成果來源:國科會
申請專利國家:美國(發明)
專利證號:US 8,759,028 B2
技術摘要:
Disclosed herein is a process for producing a target protein, in which a recombinant polynucleotide ...