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武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 11,094,853 B2
技術摘要：
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
大面積被動式微發光二極體陣列顯示器
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I705562
技術摘要：
一種大面積被動式微發光二極體陣列顯示器，包括數各具基板、微發光陣列及陣列用絕緣層的微發光二極體陣列，及具載板、數第一、二外部線路、線路用絕緣層及電性鍵合單元的外部線路組件。微發光陣列沿Y方向間隔佈滿基...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I707466
技術摘要：
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間...
吳宗明
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具有多維度中空奈米結構之複合片體及其應用
成果來源：
國科會
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 11/252,816 B2
技術摘要：
一種具有中空奈米結構之複合片體，其包含：一維奈米中空線混合分散於高分子片體中，其中：該高分子片體具有可撓曲性；以及該一維奈米中空線之電特性低於該高分子片體，並使該具有中空奈米結構之複合片體的電特性介於...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件
成果來源：
國科會
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 11/257,687 B2
技術摘要：
一種磊晶層的修復方法，包含準備步驟、升溫步驟、霧化步驟，及修復步驟。首先，準備步驟是準備一可被霧化且包括氮元素的工作液體，及一具有一腔室的退火裝置，接著執行升溫步驟，對該退火裝置的該腔室升溫至一預定溫...
薛涵宇
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
超疏水奈米表面結構的製備方法及超疏水奈米表面結構
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I731649
技術摘要：
本發明提供一種超疏水奈米表面結構的製備方法，其包含下述步驟。提供一基材，其中基材包含一聚苯乙烯材料。進行一塗覆步驟，其係將一聚四氟乙烯分散液塗覆於基材之一表面上，以形成一初級表面結構。進行一加熱步驟，...
吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
造渣用組成物
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I721844
技術摘要：
一種造渣用組成物，包含以該造渣用組成物的總量為100 wt%計，15 wt%至35 wt%的FeO、35 wt%至45 wt%的CaO、10 wt%至20 wt%的SiO 2，及10 wt%至20 w...
蔡佳霖
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體及提升其垂直磁異向性的方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I719803
技術摘要：
一種高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體，包括一基板、一形成於該基板的上方的晶種層、一形成於該晶種層上的中間層、一形成於該中間層上且是由一混有AgC與FePt合金為主的複合磁性材料所製成的磁性記錄層，及一...
吳宗明
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
氨氣感測用的三元複材及其應用
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I725661
技術摘要：
一種氨氣感測用的三元複材，其包含: 一帶狀奈米石墨烯0.1~49.9 %；一奈米金屬氧化物0.1~49.9 %；一導電高分子50~99%；其中: 先在該帶狀奈米石墨烯表面披覆該奈米金屬氧化物，再以該導...
賴盈至
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
發電裝置
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I700884
技術摘要：
本發明係一種發電裝置，包含有一第一摩擦單元、以及一第二摩擦單元，該第一摩擦單元包含有一第一電極層、以及一第一導線與該第一電極層電性連接，該第二摩擦單元包含有一第二電極層貼近於該第一電極層、一第二絕緣層...
宋振銘
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
半導體裝置和其製造方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中國大陸（發明）
專利證號：
ZL 201810159644.3
技術摘要：
本發明涉及種用於製造半導體裝置的方法。所述方法包含：提供包含第金屬接點的第電子元件和包含第二金屬接點的第二電子元件，改變所述第金屬接點的晶格，以及在預定壓力和預定溫度下將所述第金屬接點接合到所述第二金...
汪俊延
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
層狀雙金屬氫氧化物表面披覆觸媒之方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I671123
技術摘要：
本發明提供一種層狀雙金屬氫氧化物表面披覆觸媒之方法，其載體可不需經高溫鍛燒處理，而是藉由碳酸鎳所配製的鍍液，並預先通以氬氣來調整pH值至7.2±0.03後，再將層狀雙金屬氫氧化物浸入鍍液中，並進行氫氣...
呂福興
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
太陽能吸收裝置
成果來源：
國科會
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 10,600,924 B2
技術摘要：
本發明係一種太陽能吸收裝置，由一基材與一太陽能吸收膜所組成，該太陽能吸收膜具有一底面與一頂面，該底面係與該基材連接，該頂面則相背與該底面，該太陽能吸收膜之成份為TiN xOy，由該底面至該頂面，x由1...
賴盈至
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
軟性感測裝置
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I684905
技術摘要：
本發明係一種軟性感測裝置，包含有：一絕緣層、一底層、以及一頂層，該絕緣層具有一底面與一頂面，該底層設於該絕緣層之底面且包含有相連的一電極與一導線，該頂層設於該絕緣層之頂面且包含有一屏蔽部與一鏤空部，該...
吳宗明
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具有多維度中空奈米結構之複合片體及其應用
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I685523
技術摘要：
一種具有多維度中空奈米結構之複合片體，其包含零維奈米中空球與一維奈米中空線分散於高分子片體中，該高分子片體具有可撓性；及該零維奈米中空球與該一維奈米中空線電特性低於該高分子片體，並使該具有多維度中空奈...
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