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吳宗明
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
生物支架
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I426933
技術摘要：
一種生物支架，其係包含經一交聯劑加以交聯處理的可降解生物載體材料，其中該交聯劑係含有一具有下式的合成試劑：(圖省略)
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I707466
技術摘要：
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間...
吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
造渣用組成物
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I721844
技術摘要：
一種造渣用組成物，包含以該造渣用組成物的總量為100 wt%計，15 wt%至35 wt%的FeO、35 wt%至45 wt%的CaO、10 wt%至20 wt%的SiO 2，及10 wt%至20 w...
蔡佳霖
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體及提升其垂直磁異向性的方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I719803
技術摘要：
一種高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體，包括一基板、一形成於該基板的上方的晶種層、一形成於該晶種層上的中間層、一形成於該中間層上且是由一混有AgC與FePt合金為主的複合磁性材料所製成的磁性記錄層，及一...
汪俊延
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
不鏽鋼表面披覆層狀雙金屬氫氧化物之方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I689632
技術摘要：
本發明提供一種不鏽鋼表面披覆層狀雙金屬氫氧化物之方法，利用噴砂的方式，使不鏽鋼表面奈米粗糙化，即可提供層狀雙金屬氫氧化物較佳的生長界面，並利用電沉積法，在不鏽鋼表面上成長高比表面積的層狀雙金屬氫氧化物...
汪俊延
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
純矽溶解於液態鎂的方法以及鎂基熱電材料的製備方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I685572
技術摘要：
本發明提供一種純矽溶解於液態鎂的方法，其包含提供一金屬原料、提供一金屬原料堆疊順序以及提供一熔煉製程步驟。金屬原料包含一含鎂材料、一含矽材料、一含錫材料以及一含銻材料。金屬原料堆疊順序係將含矽材料、含...
吳宗明
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具有中空奈米結構之複合片體及其應用
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I714907
技術摘要：
一種具有中空奈米結構之複合片體，其包含：一維奈米中空線混合分散於高分子片體中，其中：該高分子片體具有可撓曲性；以及該一維奈米中空線之電特性低於該高分子片體，並使該具有中空奈米結構之複合片體的電特性介於...
宋振銘
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
半導體元件接合方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 10096569 B2
技術摘要：
本發明涉及種用於製造半導體裝置的方法。所述方法包含：提供包含第金屬接點的第電子元件和包含第二金屬接點的第二電子元件，改變所述第金屬接點的晶格，以及在預定壓力和預定溫度下將所述第金屬接點接合到所述第二金...
吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
異種供料系統
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（新型）
專利證號：
M562214
技術摘要：
一種異種供料系統，適用於在一積層製造機供應二種不同的材料，包含一閥單元，及一噴頭單元。該閥單元包括二電磁閥，每一電磁閥具有導入各別之材料的一入料口、導入氣體的一進氣口、一出口，及被電流控制且在一第一位...
蔡佳霖
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
直流濺鍍用的濺鍍靶材及具有其鍍膜的垂直磁性記錄媒體
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I640644
技術摘要：
本發明提供一種直流濺鍍用的濺鍍靶材，包含一Mg1-xAxO1-yDy之化學式(1)；其中，A是一選自由下列所構成之群組的金屬元素：Ti、Al、Ta、V、Sc、Y，及前述金屬元素的組合； D是N，或N...
吳宗明
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
有機改質層狀苯基磷酸鋅、高分子/有機改質層狀苯基磷酸鋅複合材料及其應用
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I598356
技術摘要：
本發明是一種有機改質層狀苯基磷酸鋅，其包含一有機胺類高分子插層至層狀苯基磷酸鋅的層間距間，使該層狀苯基磷酸鋅的層間距增大至少2.5倍；本發明將層狀苯基磷酸鋅以有機胺類高分子加以改質後添加至有機塑料高分...
曾文甲
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
二氧化鈦多孔性材料、其製備方法及應用其之污水處理方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I629243
技術摘要：
本發明提供一種二氧化鈦粒子多孔性材料的製備方法，其先提供複數個二氧化鈦粒子，且各二氧化鈦粒子包含複數個為中孔結構之第一孔洞。接著，進行表面改質步驟使界面活性劑結合至各二氧化鈦粒子之部分表面，再將改質後...
吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
煉鋼用脫硫劑及脫硫方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I602925
技術摘要：
一種煉鋼用脫硫劑包含精煉渣及補充材，以該精煉渣總重量為100wt%，精煉渣包括52~56 wt%的氧化鈣、6~30 wt%的氧化矽、6~28 wt%的氧化鋁、5~7 wt%的氧化鎂、2~8 wt%的氟...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
發光二極體之發光波段的調變方法
成果來源：
科學園區研發精進計畫
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I627768
技術摘要：
一種發光二極體之發光波段的調變方法，依序包含(a)對一磊製於一磊晶基板上的一發光二極體中的第二型半導體層施予一含有複數帶電離子之電漿處理，令該第二型半導體層的一表面上接合有部分該等帶電離子；(b)在該...
吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
積層製造方法及其加工機
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I637839
技術摘要：
一種積層製造方法及其加工機，包含一個載台、一個積層製造裝置，及一個振動裝置。該積層製造裝置包括用於輸送粉末至該載台上方的一物料供給單元，及用於熔融前述粉末成為一層沉積層的一熔融單元，使二層以上的沉積層...
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