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汪俊延
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
盛鋼桶鋼水精鍊脫硫劑及脫硫方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I398525
技術摘要：
一種針對在盛鋼桶鋼水進行鋼水精鍊脫硫方法，包括將盛鋼桶鋼水精鍊後產出之脫硫渣直接加入另一鋼水中進行脫硫反應。盛鋼桶鋼水精鍊之脫硫渣作為一種脫硫劑，用於硫含量介於約0.06-0.03 wt.% 之間的鋼...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶用基板及其製作方法
成果來源：
國科會、經濟部
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 9391235 B2
技術摘要：
一種磊晶用基板，包含一頂面，及複數自該頂面向下延伸的晶面，其中，每 n 個晶面構 成一角錐形的凹孔，n 是不小於 3 的正整數，每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一 最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法
成果來源：
國科會、經濟部
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 8,680,554 B2
技術摘要：
一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx，其中0.1
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法
成果來源：
國科會、經濟部
申請專利國家：
中國大陸（發明）
專利證號：
1696498
技術摘要：
一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx，其中0.1
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法
成果來源：
國科會、經濟部
申請專利國家：
韓國（發明）
專利證號：
10-1341824
技術摘要：
一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法
成果來源：
國科會、經濟部
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 8,603,886 B2
技術摘要：
一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法
成果來源：
國科會、經濟部
申請專利國家：
中國大陸（發明）
專利證號：
1546394
技術摘要：
一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫...
吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
以震動消除殘留應力的方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 7,703,325 B2
技術摘要：
一種以震動消除殘留應力的方法，是以一系統做為工具，該系統包含可改變振動頻率的一振動器、可量測振幅與頻率的一感測器，及可顯示振幅與頻率的一顯示器。該方法主要是使該振動器、該感測器與一工件接觸，使該工件在...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶用基板及其製作方法
成果來源：
國科會、經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I466287
技術摘要：
一種磊晶用基板，包含一頂面，及複數自該頂面向下延伸的晶面，其中，每n個晶面構成一角錐形的凹孔，n是不小於3的正整數，每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不...
林江珍
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
阻焰薄膜及其製備方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I448542
技術摘要：
本發明係提供一種阻焰薄膜及其製備方法。主要係將無機矽酸鹽黏土或其脫層形式之奈米矽片與一溶劑混合，形成一分散溶液；再使該分散溶液於一表面乾燥以除去該溶劑，並形成全無機之可撓曲薄膜，厚度約為5μm至1,0...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I434329
技術摘要：
一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於一第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一...
薛富盛
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
電極材料結構體及由其所製成的液流電池裝置
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I434451
技術摘要：
一種電極材料結構體及由其所製成的液流電池裝置，該結構體包含一基材、相間隔地設置在該基材的一進口單元及一出口單元。該基材為多孔性導電材料製成，包括反向的一進口側及一出口側。該進口單元包括多數個自該進口側...
汪俊延
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
快速製備層狀雙氫氧化物的方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I414483
技術摘要：
一種快速製備層狀雙氫氧化物的方法，包含提供一含Li＋陽離子及Al3+陽離子的水溶液，再於此水溶液中加入一不含鋰鹽或鋁鹽之夾層陰離子起使物，夾層陰離子起使物之陰離子可與Li+、Al3+陽離子結合，形成一...
汪俊延
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
吸收二氧化碳的方法
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I505866
技術摘要：
一種吸收二氧化碳的方法，包含通入二氧化碳氣體於一水溶液中，溶於水中形成碳酸根離子(CO32-)，水溶液實質含有金屬離子Az+及金屬離子B3+。碳酸根離子(CO32-)與金屬離子Az+及金屬離子B3+形...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶用基板
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I384535
技術摘要：
一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻...
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