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吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
含有鈦鉻的合金硬化層
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I414632
技術摘要：
一種含有鈦鉻的合金硬化層，包含有鈦材料、鉻材料，且以銲覆技術融接在一鋼鐵基材的一表面。藉此，本發明可以利用含鈦及鉻的合金填料，大幅減少該合金硬化層的裂縫面積，有效提升該合金硬化層的性質。
吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
共振消除殘留應力系統及其方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I418636
技術摘要：
一種共振消除殘留應力系統及其方法，包含敲擊一工件的一震動器、量測該工件的振幅與頻率的一感測器，及一監控單元。該監控單元具有顯示該工件的振幅與頻率的一顯示幕，及控制該電磁式震動器連續對該工件施以一預定敲...
呂福興
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
製備金屬氮氧化物膜之方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I381059
技術摘要：
一種製備金屬氮氧化物膜之方法，係先將一金屬靶材與一基材置入一真空腔體中，該金屬靶材係由鈦、鋯、鉻或其合金所製成，並將背景壓力保持在5×10-6~5×10-2 torr；接著，利用物理氣相沈積法於該基材...
吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
以震動消除殘留應力的方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I314489
技術摘要：
一種工件殘留應力的消除方法，主要是製備一可改變振動頻率的一振動器、一振動感測元件及與該感測元件連接的一示波裝置。該振動器是與一工件連結，可在振動過程中，將振波傳遞至該工件，使該工件產生共振。該感測元件...
吳威德
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
複頻共振單元
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I281502
技術摘要：
一種複頻共振單元，抱含二個以上的震動器。該等震動器是設置在一工件的不同位置上，且分別可以在震動過程中，以不同頻率、不同方向的振波相互作用而產生高頻共振波，並傳遞至該工件。藉此，加強高頻共振波（即次波）...
汪俊延
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
以電解擴散法在大氣環境下製作鎂-鋰合金及其設備
成果來源：
中興大學
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I284153
技術摘要：
本發明以電解擴散法在大氣環境下製作鎂-鋰合金，使用石墨當陽極，鎂-鋁-鋅合金薄板當陰極，電解液為45wt%氯化鋰-55wt%氯化鉀。本發明之優點為在大氣環境下，即可製備高鋰含量之鎂-鋰合金，不需手套箱...
曾文甲
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
奈米異質結構、其製備方法及應用其之氣體感測器
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I574006
技術摘要：
本發明提供一種奈米異質結構，其包含第一奈米結構以及設置於前述第一奈米結構之表面上的複數個第二奈米結構。第一奈米結構具有一長軸方向與一短軸方向，且第一奈米結構於短軸方向上之截面積係沿著長軸方向漸縮。其中...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
高光萃取率的發光二極體、導電膜，及導電膜的製作方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 9,331,250B1
技術摘要：
本發明主要提供一種高光萃取率的發光二極體，包含一基板、一形成在該基板的發光單元、一形成在該發光單元的導電膜，及二分別接觸連接該導電膜和該發光單元用以自外界提供電能的電極。特別地，該導電膜包括一能導電且...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
高光萃取率的發光二極體、導電膜，及導電膜的製作方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I581452
技術摘要：
本發明主要提供一種高光萃取率的發光二極體，包含一基板、一形成在該基板的發光單元、一形成在該發光單元的導電膜，及二分別接觸連接該導電膜和該發光單元用以自外界提供電能的電極。特別地，該導電膜包括一能導電且...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
發光二極體
成果來源：
國科會
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US9054275 B1
技術摘要：
一種發光二極體，包含：一個磊晶基材、一層發光層、一層電子穿隧層、一層電流擴散層，及一個電極單元，其特徵在於該電子穿隧層選自AlxIn1-xN，0
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
垂直導通式發光二極體的製作方法及其製品
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I460891
技術摘要：
垂直導通式發光二極體包含：磊晶基板、磊晶膜層結構、第一電極、反射層、第二電極層及散熱層。磊晶基板具第一、二板本體及鍵合於各板本體之第一表面間的黏結層。第一板本體具貫穿其第一表面及遠離黏結層的第二表面的...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶基板的製作方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I474381
技術摘要：
本發明提供一種磊晶基板的製作方法，是用以於其上成長一磊晶膜層結構以構成一垂直導通式發光二極體，該磊晶膜層結構是由一以氮化鎵為主的材料所構成。該製作方法包含：(a)於一第一單晶板本體的一第一表面形成一第...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
固態發光結構的製造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I493755
技術摘要：
一種固態發光結構的製造方法，先在第一基板上形成氮化鎵系材料無法磊晶成長的犧牲層，再移除部分犧牲層的結構得到圖案化的犧牲層結構；然後以朝三維方向成長的磊晶生長自第一基板的預定區域形成由氮化鎵系材料構成的...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
光電元件之磊晶基板的分離方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 8,278,194 B2
技術摘要：
本發明提供光電元件之磊晶基板的分離方法，先於磊晶基材上形成具有多數間隔之膜體結構的犧牲膜後側向磊晶形成磊晶層，接著在磊晶層上形成將磊晶層定義出多數具有頂面之磊晶膜的遮罩層，再利用遮罩層的分隔自每一頂面...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中國大陸（發明）
專利證號：
CN101866831B
技術摘要：
一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一...
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