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武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
低表面缺陷密度之磊晶基板
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 8,022,412 B2
技術摘要：
一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
低表面缺陷密度之磊晶基板及其製造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
韓國（發明）
專利證號：
10-1148380
技術摘要：
一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
低表面缺陷密度之磊晶基板之製造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
日本（發明）
專利證號：
5174052
技術摘要：
一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶基板的製造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I397114
技術摘要：
一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶基板的製造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I441241
技術摘要：
一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：首先形成一圖樣化膜層於一基板上，並繼續形成一第一磊晶層，接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域，進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間，再自第一磊晶...
林佳鋒
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
具蝕刻通道的磊晶結構及其製造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I416617
技術摘要：
一種具蝕刻通道的磊晶結構包含一基板、一形成於該基板的緩衝犧牲層，及一形成於該緩衝犧牲層的磊晶層，該基板包括複數條自一頂面向下凹設的蝕刻通道，對應每一蝕刻通道還包括兩面界定該等蝕刻通道的斜面，該緩衝犧牲...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
光電元件之磊晶基板的分離方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I398022
技術摘要：
一種用於將盛鋼桶鋼液自流鋼嘴自然開口流出之填充砂粒結構。填充砂粒結構至少包含核心粉粒與殼層。殼層覆於核心粉粒外，且殼層之熔點低於核心粉粒之熔點或殼層與鋼業之共晶點溫度，或者是，殼層與鋼液之共晶點溫度低...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶元件的製作方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 8,853,057 B2
技術摘要：
一種磊晶元件的製作方法，包含：（a）於磊晶用基板上形成犧牲膜；（b）將犧牲膜定義出犧牲結構，並在移除犧牲膜的部分結構時使基板裸露出的區域具有多數彼此相連結的凸部與凹部；（c）於犧牲結構與凸部向上磊晶形...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
圖案化基板及其構成的發光二極體
成果來源：
國科會
申請專利國家：
美國（發明）
專利證號：
US 9,142,719 B2
技術摘要：
一種圖案化基板，由藍寶石為主要材料，且具有一頂面、複數由該頂面往下延伸且間隔排列的圍繞面、複數分別連結圍繞面下緣的基面，及複數分別自每一基面向上形成的凸柱，以該圖案化基板向上磊晶形成於供電時發光的磊晶...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶元件的製作方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I480926
技術摘要：
一種磊晶元件的製作方法，包含：（a）於磊晶用基板上形成犧牲膜；（b）將犧牲膜定義出犧牲結構，並在移除犧牲膜的部分結構時使基板裸露出的區域具有多數彼此相連結的凸部與凹部；（c）於犧牲結構與凸部向上磊晶形...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
磊晶用基板的製造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I375258
技術摘要：
一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
發光元件模組的製作方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I379444
技術摘要：
一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
光電元件的製造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I405353
技術摘要：
一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
低表面缺陷密度之磊晶基板
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I378556
技術摘要：
一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞...
武東星
學校：
國立中興大學
科系：
材料系
技術名稱：
低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I482214
技術摘要：
一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一...
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