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洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
多晶粒覆晶模組封裝方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I532225
技術摘要：
一種多晶粒覆晶模組封裝方法，包含：(a)提供一個具有多組電連接孔的基板，且每一組電連接孔具有兩個導電塊；(b)準備一個發光模組，具有多個間隔設置於基板表面的 LED 發光單元，且每一個 LED 發光單...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
壓電感測元件及其製作方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I550924
技術摘要：
本發明提供一種壓電感測元件的製作方法，包含(a)提供一基材，該基材具有一個基板、一層形成於該基板其中一表面的犧牲層，及一層形成於該犧牲層表面的底電極層，(b)於該底電極層的表面形成多個由壓電材料構成並...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
高取光率之發光二極體
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I515921
技術摘要：
一種高取光率之發光二極體包含：一基板、一覆蓋於基板的發光膜層、一視窗層、一增亮單元及一與該發光膜層形成電連接的電極單元。發光膜層具一遠離基板的出光面且能提供最高放射率之光源。視窗層形成於發光膜層的出光...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
無電極遮光的發光二極體及其製作方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I523270
技術摘要：
一種無電極遮光的發光二極體的製作方法，主要是將第一電極製作於發光區外，並利用將第一電極事先製作出一形成於第一型第一半導體層裸露之表面的延伸電極，因此，製得的發光二極體無習知電極遮光的問題，且當後續欲利...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
具有高散熱特性的發光元件的製作方法及該方法製得的發光元件
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I466347
技術摘要：
一種具有高散熱特性的發光元件的製作方法，將發光二極體晶片固置於暫時基板後形成圍覆發光二極體晶片側周面且厚度自發光二極體晶片向暫時基板方向遞減的犧牲層，接著用熱傳快的材料形成主膜體，並在主膜體堆積形成的...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
堆疊式太陽能電池的製造方法及其產品
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I482304
技術摘要：
本發明提供堆疊式太陽能電池的製造方法，首先於基板上形成照光時產生電能的第一光電轉換結構單元和汲取電能的第一連接電極與下電極，製作出第一光伏元件，接著於暫時基板上形成照光時產生電能的第二光電轉換結構單元...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
半導體發光晶片
成果來源：
國科會、經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I525865
技術摘要：
一種半導體發光晶片，包含基板、自外界提供電能時發光的磊晶層單元，及經外界對磊晶層單元提供電能的電極單元，基板具有由熱傳係數高於磊晶材的材料構成的本體，及由熱傳係數高於本體的構成材料的導熱材料構成的導熱...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
半導體元件的製造方法及該製造方法中所使用的磊晶基板與其半導體元件半成品
成果來源：
國科會、經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I480928
技術摘要：
一種半導體元件的製造方法，首先選擇具有第一晶格常數的材料製備主體；接著再選擇分別具有第二、三晶格常數的材料，由主體向上形成至少一包括具有第二晶格常數的第一薄膜與具有第三晶格常數的第二薄膜的犧牲層結構而...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
具有微透鏡的發光二極體晶粒元件的製作方法及其成品
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I431823
技術摘要：
一種具有微透鏡的發光二極體晶粒元件的製作方法，包含(a)於磊晶基材向上磊晶形成供電時產生光的磊晶結構；(b)用可導電的材料於磊晶結構上形成和磊晶結構電連接的晶種結構；(c)佈設多數透光的微透鏡；(d)...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
具有大發光面積的發光二極體封裝結構
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I431824
技術摘要：
一種具有大發光面積的發光二極體封裝結構，包含導熱基底與至少一發光二極體晶粒，導熱基底可導電並包括頂面及自頂面延伸的外展面，外展面具有依序自頂面延伸的第一環面區與第二環面區，發光二極體晶粒於接受電能時將...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
垂直導通結構發光二極體的製作方法及其製品
成果來源：
經濟部
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I599069
技術摘要：
本發明主要提供一種垂直導通結構發光二極體的製作方法，先於氧化鋁單晶基材上形成至少二層二維石墨烯結構後，以鍍膜技術形成將石墨烯結構嵌覆且晶體結構與氮化鎵系列半導體材料相匹配的緩衝磊晶結構而製作出磊晶用分...
韓斌
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
適用於近場的結構分析系統及方法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I467164
技術摘要：
一種適用於近場的結構分析系統，包含一電磁波源、相關於一焦點平面及一反射係數函數的一反射鏡、一頻譜偵測器，及一處理模組。該電磁波源發射具有多個頻率成分的一電磁波到一待測物；該反射鏡反射從該電磁波源發射並...
楊錫杭
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
仿生物複眼微透鏡影像擷取系統之製法
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I476909
技術摘要：
本發明係有關一種仿生物複眼微透鏡影像擷取系統之製法，其藉下述步驟：一．預備步驟、二．微影成形步驟、三．光阻熱熔步驟、四．電鑄翻模步驟、五．微透鏡薄膜成形步驟、六．抽氣成形步驟及七．結合完成步驟，而先於...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
堆疊式太陽能電池的製造方法及其製品
成果來源：
原能會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I374550
技術摘要：
本發明提供堆疊式太陽能電池的製造方法，首先將第一光伏元件銲黏於座板上，並使其與座板電性串聯，接著以透明膠材進行封裝，然後將第二光伏元件的基材移除後黏置於透明膠材上，並與座板上的第一光伏元件電性串聯，而...
洪瑞華
學校：
國立中興大學
科系：
精密所
技術名稱：
面型光光源模組
成果來源：
國科會
申請專利國家：
中華民國（發明）
專利證號：
I367310
技術摘要：
本發明提供一種面型光光源模組，包含線型光源裝置及導光板，線型光源裝置在供電時發光，導光板包括入光面、出光面、多數形成於出光面上的微結構體單元，及由入光面界定出並供線型光源裝置設置的容置槽，微結構體單元...
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